- Dễ dàng vận hành: Dễ dàng thiết lập các chế độ phân tích thông thường và nâng cao cho nhiều kỹ thuật, tất cả trên một giao diện trực quan.
- Đa dạng kỹ thuật phân tích: Nhiều tùy chọn đáp ứng các nhu cầu phân tích bề mặt khác nhau.
- Xác định chính xác vị trí phân tích: Dễ dàng xác định vị trí cần phân tích nhờ hình ảnh SXI có độ phân giải dưới 5 μm.
- Phân tích nhanh, hiệu quả cao: Hệ thống tự động định vị mẫu và hỗ trợ giá giữ mẫu có kích thước lên đến 80 × 80 mm.
- Phân tích theo chiều sâu (Depth Profiling): Phân tích nhanh theo chiều sâu mà không làm phá hủy mẫu, với nhiều súng ion tập trung tại cùng một điểm.
- Nguồn tia X quét kép đồng tiêu (Confocal Dual Scanning X-ray Source): Cho phép phân tích XPS và HAXPES tại cùng một vị trí.
- Trung hòa điện tích bằng hai chùm tia: Cho phép phân tích XPS và AES trên các mẫu cách điện.
Sản Phẩm
PHI Genesis
Phụ kiện tùy chọn:
-
HAXPES (Cr)
-
UPS
-
LEIPS
-
AES
-
REELS
-
Nguồn tia X hai anode (Mg/Mg, Mg/Al, Mg/Zr)
-
Súng ion hai nguồn, sử dụng chùm ion Ar đơn nguyên tử và Ar dạng cụm
-
Công cụ đo kích thước cụm ion Ar (Ar-GCIB)
-
Súng ion cụm C₆₀ 20 kV
-
Khẩu độ thu góc hẹp
-
Hệ thống gia nhiệt và làm lạnh mẫu
-
Cấp điện áp 4 tiếp điểm
-
Bình chuyển mẫu
-
Hệ thống bơm chuyên dụng cho buồng nạp mẫu
-
Kính hiển vi độ phóng đại cao để quan sát mẫu trực tiếp
